近日，斯坦福大学、卡内基梅隆大学等四所顶尖高校的工程师团队，联合美国半导体代工厂SkyWaterTechnology，成功打造出美国首颗商业代工厂制造的单片3D集成电路原型，实测性能较传统平面芯片提升四倍，为半导体行业突破物理瓶颈开辟新路径。这款芯片彻底抛弃传统二维布局，以创新的单一连续工艺实现核心突破。研究团队并未采用“多芯片组装封装”的常规思路，而是通过低温工艺在同一晶圆上逐层构建器件层，41

三星半导体代工业务迎来关键转机。此前被视作“发展噩梦”的4nm制程工艺逐步企稳，最新消息显示其良率已大幅提升至60%~70%。这一核心突破直接为三星赢得重磅订单——美国AI公司TsavoriteScalableIntelligence已敲定合作，预订价值超1亿美元的全能处理单元（OPU）芯片。此前，良率不佳一直是三星4nm制程的致命短板，不仅制约业务推进，更导致部分订单流失至竞争对手台积电。如今老

2025年11月27日，日本权威媒体《日刊工业新闻》披露重磅消息：日本存储巨头KIOXIA铠侠与美国闪存企业Sandisk闪迪，正计划联合在美国兴建NAND晶圆厂。更为关键的是，这一跨洋合作计划已获得日美两国政府的明确支持意向，有望借助政策红利加速落地。作为全球NAND闪存市场的核心力量，铠侠与闪迪的联盟长期以日本为产能核心——当前双方共有的NAND晶圆厂集中布局于日本四日市和北上市，其中四日市工

11月26日，据行业内幕人士蒂姆・库尔潘透露，9月下旬台积电位于美国亚利桑那州的Fab21晶圆厂，因核心供应商突发停电遭遇生产中断，部分处于加工流程中的晶圆被迫报废。针对这一消息，台积电发言人已向Tom'sHardware证实供应商停电事件存在，但对具体损失情况未予明确回应。此次引发生产波动的“源头”，是为Fab21提供关键气体支持的英国工业气体巨头——林德集团。值得注意的是，Fab21与多数先进

当地时间11月10日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布两项重磅规则，为半导体供应链带来重要变化。​其一，“50%穿透性出口管制规则”暂停实施一年。该规则原于2025年9月30日发布，此次暂停期自2025年11月10日至2026年11月9日；2026年11月10日起，规则将重新生效并无限期延长，除非后续另有调整。​其二，艾睿电子旗下7家中国及香港关联企业被移出实体清单，包括艾睿（中国）电子贸易有

11月21日，台积电创始人张忠谋首次向媒体确认，台积电目前最先进的3nm工艺将作为美国亚利桑那州工厂的第二阶段。图：张忠谋据《华尔街日报》援引知情人士的话称，台积电计划在美国目前的晶圆厂厂址旁边再建一座采用3nm先进工艺的晶圆厂。张忠谋第一时间直接证实了这一传闻，强调5nm工厂是第一个阶段，接下来将在其旁边规划3nm工厂。这意味着台积电有史以来第一次将最先进的制造工艺部署到台湾以外进行生产。图：接

IntelCEO基辛格去年2月份上任之后推出了雄心勃勃的IDM2.0战略，希望通过大举投资重新夺回被三星台积电领先的半导体地位，其中一个重要内容就是在美国投资200亿美元建设2座新的晶圆厂。然而这个在美国俄亥俄州建厂的计划目前被Intel延期了，主要原因就是美国520亿美元的芯片补贴法案迟迟不能落实，Intel希望获得大量补贴以降低芯片厂的成本。据新闻报道称，IntelCEO基辛格月28日在阿斯彭